存储墙问题制约传统DRAM发展。在AI高速发展进程中，大模型规模急剧增长，对计算资源，特别是存储带宽提出严苛要求。过去几十年，服务器硬件算力峰值增长迅速，但DRAM带宽和片间互连带宽增速滞后，导致长达20年内存存取速度落后于处理器计算速度，形成“存储墙”问题。这严重制约了AI模型的训练和推理速度，造成计算资源的巨大浪费。
HBM技术带来存储变革。HBM的出现如一场存储革命，改变了传统DRAM布局。它采用3D堆叠技术，利用硅通孔（TSV）将多个DRAM芯片垂直堆叠，数据传输线路大幅缩短，信号传输更快速稳定。其超高带宽每秒可达1.2TB，是传统DRAM的数倍甚至数十倍，有效缓解了内存带宽压力，提升了计算效率。然而，HBM制造工艺复杂，成本高昂，限制了其大规模应用。
3D铁电RAM潜力巨大 。美国SunRiseMemory公司致力于开发用于AI的3D铁电RAM芯片，采用垂直堆叠的FeFET存储单元，目标存储密度比传统DRAM提高10倍。利用HfO2铁电效应实现非易失性存储，功耗降低90%。该公司认为其能提供高容量、高带宽、低功耗的替代方案，但要实现大规模商业化生产，还需优化材料性能和制造工艺。此外，韩国科学技术院（KAIST）在铁电存储研究上也取得突破，提升了FeFET器件性能，为3DDRAM堆叠奠定基础。
DRAM+非易失性内存革新 。内存供应商NeumondaGmbH与FMC合作销售“DRAM+”非易失性内存。FMC利用HfO2铁电效应将DRAM电容器转变为低功耗、非易失性存储设备。与旧的FeRAM技术相比，HfO2可实现更高密度和性能。Neumonda为其提供咨询和测试平台，但FMC尚未透露DRAM+商用时间和生产细节。
Imec重构DRAM架构。Imec提出2T0C设计的DRAM位单元概念，由两个薄膜晶体管和无电容器组成。基于IGZO的晶体管具有极低关断电流，有利于保留时间和降低功耗。制造IGZO2T0C位单元更简单、成本更低，还能优化DRAM布局，提高密度。imec在相关研究上取得多项突破性成果，该技术被认为是实现3D DRAM的可能方法之一。
相变存储器实现突破。相变存储器（PCM）具备低延时、寿命长等优势。韩国KAIST团队的纳米灯丝技术将PCM功耗降低15倍，解决了传统PCM功耗过高问题，兼具DRAM速度和NAND非易失性，可用于物联网设备。
新型非易失性存储器UK III-V Memory 。英国兰开斯特大学研发的UK III-VMemory基于20nm光刻工艺，写入时间与DRAM相当，写入能耗仅为1%。采用“双阱共振隧道结”存储数据，能在断电时保持数据完整，有望在移动设备存储领域发挥重要作用。
SOT-MRAM技术取得进展。磁阻式随机存取存储器（MRAM）不断发展，德国美因茨约翰内斯古腾堡大学团队与法国Antaios公司合作开发的新型SOT-MRAM，在写入电流和能效比上实现突破，降低了生产成本，适合应用于数据中心和高性能计算领域。
存储产业迎来重构。AI驱动半导体产业进入“架构+材料”双轮驱动时代，存储单元向三维立体发展，数据存储突破易失性边界。未来存储市场将多元化，新型存储技术与HBM相互补充，重塑半导体产业格局，带来新机遇和挑战。
