华为携手山大突破垂直氮化镓耐压，引领高耐压氮化镓器件新方向

近年来，华为在芯片领域布局广泛。近期，山东大学和华为技术有限公司的一篇论文引发业界关注。该团队在中国使用氟（F）离子注入终端（FIT），在全垂直氮化镓（GaN）硅基硅（Si）沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）中实现了1200V击穿性能。

垂直氮化镓（GaN）代表着GaN的野心，即取代1200V以上的碳化硅（SiC）。目前宽禁带半导体格局是650V以下用GaN，1200V以上用SiC。虽然SiC市场更广泛，但业界认为GaN潜力更大。不过，GaN很难突破1200V耐压。垂直GaN通过改善结构，将阳极和阴极位置改变，使导通电流竖向流动，能提高功率密度、开关速度等，但制造和落地面临成本难题。

华为团队创新地应用氟注入终端结构的1200V全垂直Si基GaN沟槽MOSFET（FIT -MOS），用FIT取代传统的mesa刻蚀终端（MET），消除了mesa边缘的电场集中效应，将击穿电压从567V提升到1277V。所制造的FIT -MOS各项指标表现良好，显示出Si基GaN垂直晶体管在kV级应用中的潜力。

在垂直GaN领域，多家企业和机构积极推进。Pi和ONsemi通过收购扩展产品线；信越化学掌握关键技术有望降低成本；博世、一些初创公司也在相关领域有所动作。国内的中镓科技、广东致能等也取得了不错的成果。

总之，为推动GaN在高耐压领域的发展，垂直GaN是一条值得关注的路线，华为此次的创新成果为行业发展提供了新的方向。