近期，有媒体报道英国部署电子束光刻机，甚至宣称打破ASML的EUV技术垄断。然而，并无信息显示该电子束曝光机可用于5nm制程芯片量产的光刻环节。
英国开设电子束光刻中心：英国南安普顿大学成功开设日本以外首个分辨率达5纳米以下的尖端电子束光刻（EBL）中心，这也是全球第二个、欧洲首个此类中心。该中心采用日本JEOL的200kV加速电压直写电子束光刻系统（JEOLJBX – 8100 G3），可在200毫米晶圆上实现低于5纳米级精细结构的分辨率处理，用于开发电子和光子学领域研究芯片的新结构。JEOL的100kVJEOL JBX – A9设备将用于支持更大批量的300毫米晶圆。
电子束曝光机原理与应用：电子束曝光机并非新事物，技术已成熟。电子束曝光始于上世纪60年代，是在电子显微镜基础上发展起来的用于微电路研究和制造的曝光技术，主要用于制作光刻掩模版、硅片直写和纳米科学技术研究。其优点是分辨率高，缺点是曝光时间长。目前科研和产业界使用的电子束光刻设备主要有高斯束、变形束和多束电子束。
主流电子束光刻机厂商 ：能生产电子束光刻机的厂商较多。Raith公司是纳米制造等领域的先进精密技术制造商，有五款EBL产品。NBL公司主要生产高性能和高性价比的电子束光刻工具，主要用于大学和研究所研发。日本电子株式会社是世界顶级科学仪器制造商，在大陆成熟工艺市场的电子束光刻机市场份额较高。日本的NuFlare 占据高端市场，奥地利的IMSNanofabrication 进入多束市场并获英特尔注资。
ASML在电子束光刻领域布局：虽有媒体炒作电子束光刻机打破ASML垄断，但电子束光刻机主要用于学术研究和培训，与ASML的EUV光刻机无市场冲突，实际市场规模小。ASML也在研发电子束光刻机，其收购了破产的MapperLithography 。Mapper曾致力于提高电子束光刻效率，但因速度慢、效率低未获大客户采用。ASML对其技术和专利知识感兴趣，用于芯片检测。
