SK海力士凭HBM与1c DRAM夺冠全球DRAM市场

SK海力士登顶全球DRAM市场 市场研究公司CounterpointReseARCh报告显示，今年第一季度，SK海力士以36%的份额首次超越三星电子，成为全球DRAM市场冠军。这一成绩源于其在高带宽内存（HBM）领域的领先，该公司在HBM市场占据70%份额。

HBM助力SK海力士崛起SK海力士对HBM研发投入10年，2013年首次研发出HBM芯片。随着人工智能发展，HBM需求大增，SK海力士凭借12层HBM3E芯片，供应英伟达，占据全球HBM销售额70%以上。公司业绩因HBM产品大幅增长，预计到2027年，HBM内存芯片需求将以每年82%的速度增长。

1c DRAM技术反超三星 韩媒透露，SK海力士新的1c DRAM良率达80%，成功开发全球首款基于1c工艺的16GB DDR5DRAM。相比之下，三星的1c DRAM良率较低，SK海力士在DRAM技术上暂时领先，且将率先量产HBM4。

行业竞争与未来展望存储市场竞争激烈，除三星、SK海力士和美光外，中国和中国台湾厂商也在发展。随着技术变革，DRAM产业未来充满变数，中国DRAM产业仍面临挑战。