8英寸氧化镓单晶引发半导体行业关注。今年3月，杭州镓仁半导体有限公司发布全球首颗第四代半导体氧化镓8英寸单晶，刷新全球纪录，中国氧化镓率先步入8英寸时代。
半导体材料已发展到第四代。第一代是硅、锗；第二代是砷化镓、磷化铟；第三代是碳化硅、氮化镓；第四代主要包含氧化镓等超宽禁带和超窄禁带半导体材料。各代半导体各有优劣，在特定场景发挥优势，不存在完全取代关系。
第四代半导体中的氧化镓，作为超宽禁带半导体材料，禁带宽度达4.9eV，超越第三代的碳化硅和氮化镓。这使其具备耐高压、耐高温等特性。氧化镓可用于制作透明导电薄膜等，导通特性约为SiC的10倍，理论击穿场强约为SiC的3倍多，成本理论上更具优势。然而，其高熔点等特性导致大尺寸单晶制备困难，成本较高。
此前，国际上氧化镓制备能力仅达6英寸，尺寸小成本高且产业化难度大。此次8英寸氧化镓单晶的出现，大幅降低成本，提高晶圆面积利用率，与硅基晶圆厂8英寸生产线兼容，为产业化奠定基础。业内认为，氧化镓单晶有望开拓万亿级产业新赛道。
中国重视氧化镓等第四代半导体发展。早在2000年左右启动相关研究，“十四五”期间，发改委、科技部将其列为重点专项。多省市出台政策支持。众多高校、科研机构及企业积极投入研究。如镓仁半导体、铭镓半导体、富加镓业等在氧化镓研究上取得新进展。
从全球竞争格局看，日本、美国和中国领先。日本在衬底—外延—器件研发方面居全球首位，代表性公司Novel CrystalTechnology在氧化镓晶圆量产和外延沉积上成果显著。美国在器件领域发展早，推动了氧化镓器件进步。中国氧化镓衬底、外延技术与国外差距不大，但器件产业化相对滞后。
据预测，到2025年氧化镓功率器件市场规模将超氮化镓，2030年全球市场将达1542亿日元。未来，氧化镓市场应用集中在光电探测器、功率和射频场景，功率器件市场空间广阔。短期内，将在中高压市场出现；长期来看，将渗透车载和电气设备等领域。不过，氧化镓产业化仍面临挑战，实现大规模量产尚需克服诸多困难。
