台积电2纳米技术引领芯片行业新变革

芯片行业对高性能的追求永无止境。在去年年底的IEDM大会上，台积电的2纳米逻辑平台演示成为焦点。

台积电N2开发团队负责人Geoff Yeap强调了N2平台的每瓦性能，指出技术进步关乎节能计算，这是移动、AI PC和AI处理的关键。

台积电在2纳米节点采用纳米片晶体管，取代自16纳米节点以来的FinFET晶体管。NS平台以预计成本满足全节点PPA扩展指标，与之前节点相比，速度、功率和面积均有提升，2纳米技术将于2025年下半年大批量生产。

生成式AI的突破点燃了行业对先进节能逻辑技术的需求。NanoFlex是台积电混合优化标准单元的技术，能以最低功耗获最高性能，N2晶体管在低工作电压下表现出色，能效和速度显著提高。

2纳米开发团队对互连进行3D优化，包括升级RDL层，提高能源效率。N2平台的SRAM密度提升，测试芯片良率高。

台积电高级总监Lipen Yuan认为人工智能推动行业发展，其能源效率至关重要。GPU等推动高性能计算，人工智能将带动多领域增长，如个人电脑、智能手机等。

前沿逻辑晶体管转向全栅极架构，因FinFET能量耗尽。GAA晶体管的Vt变化更紧密，纳米片有独特优势，英特尔团队对纳米片晶体管进行优化。

在IEDM上，台积电研究人员构建了首个功能齐全的3D单片CFET反相器。同时，背面供电成为研究热点，imec和英特尔的研究人员介绍了相关技术和挑战。