SK海力士引领HBM4技术先发优势2025年HBM3E量产竞争激烈，而下一代高带宽存储HBM4的竞赛已然开启。3月19日，SK海力士宣布全球首发用于AI计算的12层HBM4样品，并已向主要客户供货，预计下半年完成量产准备，标志HBM4技术竞赛进入新阶段。
HBM技术发展历程与现状在AI计算时代，高带宽内存HBM通过垂直堆叠DRAM芯片提升数据处理速度，自第一代诞生已发展至第六代。2013年SK海力士开发首款HBM，2022年首家量产HBM3，2024年量产8核和12核HBM3E，此次在HBM4领域再次领先。
SK海力士HBM4性能亮点 3月18日英伟达2025GTC大会上，SK海力士展示12层堆叠的HBM4模型，带宽提升至每秒2TB，较HBM3E提升60%。台媒报道其HBM4测试良率达70%。英伟达下一代Rubin将搭载HBM4，因SK海力士量产加速，部分分析师预测Rubin可能提前至2025年下半年生产，2026年下半年上市。
三星奋起直追HBM4量产三星计划今年下半年启动HBM4量产。已完成逻辑芯片设计，采用4nm试产。三星希望通过存储与代工部门协作，依托自身整合能力，实现差异化竞争。不过在GTC大会上，三星主要展示的是GDDR7，在HBM市场尚未在英伟达供应链中占据一席之地。
美光的HBM4规划美光计划2026年实现HBM4量产，对其前景充满信心。预计2025年HBM业务收入可观，HBM4性能较HBM3E提升50%以上，将采用台积电先进代工工艺，还任命台积电前董事长推动研发。
封装技术成为HBM竞争关键 HBM发展中散热至关重要，封装技术是控制散热的关键手段。TSV是实现HBM速度的关键技术，TC-NCF是关键的TSV互连工艺。SK海力士开发的MR-MUF技术及Advanced MR-MUF技术，提高了HBM产品的散热性能和耐用性。
混合键合或成HBM未来方向混合键合可提高HBM性能和容量，减少芯片厚度。HBM4曾考虑使用该技术，JEDEC调整封装厚度以适应现有封装技术。12层HBM之后，混合键合可能成为下一代技术选择，但预计会使价格上涨。
HBM的发展趋势展望未来HBM发展呈现先进制程驱动演进、存储外包化、存算一体、市场多元化、混合存储架构兴起等趋势。HBM市场仍将是存储半导体领域重要技术高地。
