SK海力士首发HBM4样品,HBM技术竞争与发展趋势

AI快讯2个月前发布 niko
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SK海力士引领HBM4技术先发优势2025年HBM3E量产竞争激烈,而下一代高带宽存储HBM4的竞赛已然开启。3月19日,SK海力士宣布全球首发用于AI计算的12层HBM4样品,并已向主要客户供货,预计下半年完成量产准备,标志HBM4技术竞赛进入新阶段。

HBM技术发展历程与现状在AI计算时代,高带宽内存HBM通过垂直堆叠DRAM芯片提升数据处理速度,自第一代诞生已发展至第六代。2013年SK海力士开发首款HBM,2022年首家量产HBM3,2024年量产8核和12核HBM3E,此次在HBM4领域再次领先。

SK海力士HBM4性能亮点 3月18日英伟达2025GTC大会上,SK海力士展示12层堆叠的HBM4模型,带宽提升至每秒2TB,较HBM3E提升60%。台媒报道其HBM4测试良率达70%。英伟达下一代Rubin将搭载HBM4,因SK海力士量产加速,部分分析师预测Rubin可能提前至2025年下半年生产,2026年下半年上市。

三星奋起直追HBM4量产三星计划今年下半年启动HBM4量产。已完成逻辑芯片设计,采用4nm试产。三星希望通过存储与代工部门协作,依托自身整合能力,实现差异化竞争。不过在GTC大会上,三星主要展示的是GDDR7,在HBM市场尚未在英伟达供应链中占据一席之地。

美光的HBM4规划美光计划2026年实现HBM4量产,对其前景充满信心。预计2025年HBM业务收入可观,HBM4性能较HBM3E提升50%以上,将采用台积电先进代工工艺,还任命台积电前董事长推动研发。

封装技术成为HBM竞争关键 HBM发展中散热至关重要,封装技术是控制散热的关键手段。TSV是实现HBM速度的关键技术,TC-NCF是关键的TSV互连工艺。SK海力士开发的MR-MUF技术及Advanced MR-MUF技术,提高了HBM产品的散热性能和耐用性。

混合键合或成HBM未来方向混合键合可提高HBM性能和容量,减少芯片厚度。HBM4曾考虑使用该技术,JEDEC调整封装厚度以适应现有封装技术。12层HBM之后,混合键合可能成为下一代技术选择,但预计会使价格上涨。

HBM的发展趋势展望未来HBM发展呈现先进制程驱动演进、存储外包化、存算一体、市场多元化、混合存储架构兴起等趋势。HBM市场仍将是存储半导体领域重要技术高地。

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