光刻技术作为现代半导体制造核心，直接关乎芯片性能、尺寸与成本。荷兰ASML凭借极紫外光（EUV）光刻技术称霸行业，但近期佳能的纳米压印光刻（NIL）与中国的激光驱动等离子体（LDP）技术向其发起挑战，引发业内广泛关注。
ASML在EUV领域的卓越地位，源于其深厚技术积淀与高壁垒。EUV光刻技术核心在于利用13.5纳米波长的极紫外光，通过激光驱动等离子体（LPP）生成光源，将电路图案投影到硅晶圆上。这一过程涉及复杂物理现象与高精度控制，需精确控制激光强度、脉冲频率等参数，且光路需在超高真空中进行，反射镜表面精度达原子级别。此外，ASML的EUV技术历经数十年研发投入，克服诸多难题实现商业化，支持7纳米及以下制程，分辨率高，满足现代芯片需求。同时，ASML有效整合全球供应链，与顶级供应商建立长期合作，形成依赖其的生态系统，新竞争者构建类似体系难度大。从市场角度，全球领先芯片制造商依赖ASML的EUV光刻机，形成深度绑定的依赖网络壁垒，即便在DUV领域，ASML也具强大竞争力。
面对ASML的优势，佳能NIL与中国LDP另辟蹊径。佳能NIL技术是一种非光学光刻方案，通过物理模板直接将电路图案压印到晶圆上，跳过传统光刻的光源投影等步骤。该技术设备结构相对简单，理论上制造成本和能耗低，若能大规模量产，有望降低芯片制造成本与运营成本，且分辨率受模板精度限制，未来有超越EUV分辨率的潜力。然而，NIL也存在明显劣势，模板缺陷会直接转移到晶圆上，导致晶圆报废，制造无缺陷纳米级模板挑战大，且多层芯片制造中层间对准精度要求高，NIL在逻辑芯片领域应用受限，目前生产效率也远低于EUV。
中国LDP技术通过激光诱导放电电离锡或其他材料，生成13.5纳米波长的EUV光，与ASML的LPP技术同属光学光刻类别。与ASML的EUV相比，LDP无需掩膜版，可降低芯片研发成本与周期，为小批量、定制化芯片生产及快速原型设计提供便利，且理论上可利用现有EUV生态减少产业切换成本。但LDP也面临诸多挑战，受激光波长衍射极限限制，传统技术难实现EUV级分辨率，生产效率低下，且需开发高精度光学系统和控制软件并无缝集成，关键部件和控制软件部分依赖进口，存在卡脖子风险，生态系统建立艰难。
综合比较，佳能NIL在现阶段和可预见未来，更有可能在特定领域和应用场景对ASML构成挑战。NIL目标明确，解决方案路径相对清晰，佳能凭借光学和机械技术积累及过往光刻机市场经验，有一定优势，且已进入商业化初期，更易被现有芯片制造生态系统接受，面临外部环境相对宽松。而中国LDP技术仍处于研发阶段，挑战复杂，技术门槛高，实现路径不明朗，距离工业级量产还有很长路要走，且面临复杂外部环境，但有政府政策和资金支持，更像是着眼长远的战略布局。未来光刻技术竞赛结果如何，让我们拭目以待。
