HBM4时代：无助焊剂键合技术引领内存封装新变革

HBM市场增长聚焦HBM4技术突破近两年来，三大内存厂均将HBM视为市场增长的关键驱动力。在内存标准的激烈竞争中，HBM4崭露头角，其采用3D堆叠逻辑芯片架构，允许客户集成专有IP，增强性能与定制化，这一特性被行业人士视为HBM4时代成功的核心要素。据JEDEC固态技术协会发布的初步规范，HBM4在带宽和存储容量上实现显著提升，展现出强大的市场竞争力。

键合技术挑战催生无助焊剂键合创新随着HBM芯片堆叠层数增加，传统焊接技术面临严峻挑战。传统助焊剂虽能促进焊料流动，但残留物会引发诸多问题，在精密封装领域矛盾尤为突出。在此背景下，无助焊剂键合技术应运而生。从传统倒装芯片键合到TCB工艺，再到无助焊剂TCB，键合技术不断演进，以应对日益严苛的封装要求。

巨头纷纷布局无助焊剂键合技术美光、三星、SK海力士等主流HBM厂商已开始积极评估或测试无助焊剂键合技术，旨在解决DRAM间距挑战、增加堆栈层数。此外，封装巨头台积电也对该技术表现出浓厚兴趣，引进相关设备并开展评估。这一系列行动表明，无助焊剂键合技术已成为行业关注焦点。

技术竞争与未来不确定性在无助焊剂键合领域，设备厂商ASMPT和K&S;采用不同方案，各有优劣，主要厂商仍在评估中。同时，三星等厂商除关注无助焊剂键合外，还在研发下一代“混合键合”技术。不同键合技术适用于不同封装需求，目前无助焊剂键合在HBM封装中具有性价比优势，但并非终极解决方案，其未来发展仍充满变数。