EUV光刻技术的突破与发展EUV技术自提出后历经重重挑战，如高成本、复杂光学系统及高精度光罩制造等难题。但随着技术成熟，其成功突破制程限制，在10nm及以下制程展现出不可替代的优势。近期，英特尔、imec、美光、三星等公司的相关进展，加速了EUV技术的商用进程，使其进入新阶段。
英特尔在High NA EUV领域的探索 英特尔作为首家购入High NAEUV光刻机的芯片厂商，每台价值3.5亿欧元的新机器目前用于研发。去年，英特尔在俄勒冈州的工厂安装并启用两台ASML High-NA TwinscanEXE:5000EUV光刻工具，一季度处理多达30000片晶圆。早期结果显示，高数值孔径机器工作效率大幅提升，英特尔正用18A制造技术测试高NA工具，并计划未来用其生产14A芯片。
imec的High NA EUV光刻成果 纳米电子和数字技术研究创新中心imec，在会上展示了单次曝光High NAEUV光刻后图案化的20nm间距金属线结构的电气测试结果。使用金属氧化物负性光刻胶，该结构良率超90%，证实了High NAEUV光刻扫描仪及其生态系统的功能。去年imec与ASML开设实验室，预计2025 – 2026年实现High NA EUV大批量生产。
美光DRAM采用EUV技术 今年2月25日，美光推出采用全新1γ、第六代DRAM节点制造的16GbDDR5设备，该工艺首次采用EUV技术。相比三星和SK海力士，美光在EUV应用上稍晚，但此次转变将改善经济效益。美光1γ工艺结合EUV与多重图案化DUV技术，还采用新的后端电路，未来将用于制造多种内存产品。
三星引入EUV薄膜三星晶圆代工厂决定向日本三井化学采购EUV光罩薄膜，预计用于京畿道华城市的3纳米晶圆代工线。此前三星因担心薄膜损坏影响生产而未大量采用，此次采购旨在提高生产效率。同时，三星也在自主研发EUV薄膜，并推动国产化。
AlixLabs AB的新技术突破 瑞典公司AlixLabsAB通过原子层蚀刻间距分割技术（APS），在英特尔测试硅片上蚀刻出与商用3nm半导体工艺对应的结构。APS能减少对多重图案化的依赖，降低成本和环境影响，后续版本将在2025年推出，推进商业化并扩展应用。
EUV光刻技术的未来展望随着技术创新和产业需求提升，EUV光刻技术正克服成本、设备等挑战，朝着更高效、精准、低成本方向发展。未来，EUV将持续引领芯片制造向更小尺寸迈进，为半导体产业创新与竞争提供强大支撑。
